当前位置:证券经济网 -> 资讯

SK海力士拟年内试产238层NAND闪存

发布时间:2022-11-23 13:06   文章来源:IT之家  阅读量:13205   

针对美光近期量产232层NAND,海力士表示,各厂商的产品发布节奏不同,存储市场目前应该以提高盈利能力为重点海力士的目标是实现行业最高水平的盈利能力

SK海力士拟年内试产238层NAND闪存

该公司还表示,计划在今年年底前以晶圆形式实现主力产品4D NAND在176层的70%出货,以进一步提高毛利率。

针对DRAM市场,海力士表示,虽然目前DRAM的平均售价较低,但成本下降足以弥补ASP的变化该公司预计,今年DRAM出货量将增长10%左右,NAND闪存出货量将增长20%

声明:本网转发此文章,旨在为读者提供更多信息资讯,所涉内容不构成投资、消费建议。文章事实如有疑问,请与有关方核实,文章观点非本网观点,仅供读者参考。

推荐阅读

574